特許

J-GLOBAL ID：200903057207133717

半導体製造装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体ウエハの取り扱い方法

発明者： 山下 学 ,  深田 昌生 ,  林 隆行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304823
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148310
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ生成室内のパーティクルを室内を真空に保ったままで排除できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 加速された電子とガス分子との衝突電離でプラズマMを生成するプラズマ生成室3を形成するチャンバ2と、このプラズマ生成室3内に設置され、半導体ウエハ1を保持するステージ7と、チャンバ2に接続され、プラズマ生成室3を真空引きする真空ポンプ11と、プラズマ生成室3に開口して設置され、このプラズマ生成室3内にイオン化した気体を送り込むイオナイザ10とを有する半導体製造装置である。

請求項（抜粋）：

プラズマを利用して半導体ウエハに所定の処理を施す半導体製造装置であって、加速された電子とガス分子との衝突電離でプラズマを生成するプラズマ生成室を形成するチャンバと、前記プラズマ生成室内に設置され、半導体ウエハを保持するステージと、前記チャンバに接続され、前記プラズマ生成室を真空引きする真空ポンプと、前記プラズマ生成室に開口して設置され、このプラズマ生成室内にイオン化した気体を送り込むイオナイザとを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/02 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/02 B ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/304 341 D