特許
J-GLOBAL ID：200903057207466198
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259509
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【構成】 P型の亜鉛及びセレンを含むII-VI族半導体上にオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除くII族元素を含有させたセレン化亜鉛系II-VI族半導体層であることを特徴とするII-VI族半導体素子。【効果】 本発明により、従来得られなかったII-VI族半導体に対する良好なP型オーミック電極を得ることができ、特に青色のLEDに好適な半導体素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
P型の亜鉛及びセレンを含むII-VI族半導体素子上のオーミック用金属電極設置部分が、亜鉛を除くII族元素を含有させたセレン化亜鉛系II-VI族半導体層であることを特徴とするII-VI族半導体素子。
IPC (2件)：
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