特許

J-GLOBAL ID：200903057209345274

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  東盛 裕一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013889
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 高効率,高出力動作の埋め込み構造半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【構成】 n-InP基板2上に積層されたn-InPバッファ層4,InGaAsP層10,p型InPクラッド層9から成るダブルヘテロエピタキシャル層において、共振器部分11の両側に溝17を形成し、この溝17により共振器部分11から分離されたダブルヘテロエピタキシャル層内のp-InP層9をブロック層として用いる。埋め込み層形成工程では半絶縁性高抵抗層6のみを形成すればよいので、反応管にFe以外のドーパントを流す必要がなく、バックグラウンドキャリア濃度の変動を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

n型InP基板と、該基板上に配置されたn型InPバッファ層と、該n型InPバッファ層の一部分、活性層、およびp型InPクラッド層がこの順序に、ストライプ状に配置されたメサストライプ部分と、前記n型InPバッファ層の上に配置された、少なくともp型InP層およびInGaAsP層を含む半導体多層膜と、前記メサストライプ部分の両側に、当該メサストライプ部分と前記半導体多層膜を隔て、前記n型バッファ層に達し、または前記n型InP基板内に終結するよう形成された溝と、該溝の部分を埋め込む、Feを含有した半絶縁性高抵抗InP結晶からなる電流阻止層とを具えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/19 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-216495
  
• 特開昭64-028984
  
• 特開平1-268084