特許

J-GLOBAL ID：200903057210672556

多層配線構造を有する半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 英綱
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232426
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、リフローSiO2 膜の成膜中に発生する水分(H2O)がその下地の半導体素子に与える影響を低減することのできる層間絶縁膜の形成工程を改良した多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供することである。【構成】この発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線を形成する工程と、前記半導体基板上及び前記下層配線上に窒化珪素膜を形成する工程と、5Toll以下の真空室内に、前記下層配線及び窒化珪素膜を形成後の半導体基板を収容し、SiH4 ガスおよびH2 O2 を導入し、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させることによって、前記半導体基板上にリフロー形状を呈する酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成工程と、よりなる

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下層配線を形成する工程と、前記半導体基板上及び前記下層配線上に窒化珪素膜を形成する工程と、5Torr以下の真空室内に、前記下層配線及び窒化珪素膜を形成後の半導体基板を収容し、SiH4 ガスおよびH2 O2 を導入し、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させることによって、前記半導体基板上にリフロ-形状を呈する酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成工程と、よりなる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/95