特許

J-GLOBAL ID：200903057213379078

イオンジャンクションを有する固体電解質及びその製造方法

発明者： 矢島 保
出願人/特許権者： 東京窯業株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-078003
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277180
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 緻密で密着性が良いプロトン導電性固体電解質膜と酸素イオン等導電性酸化物固体電解質膜との積層構造を備えたイオンジャンクションを有する固体電解質及びその製造方法を提供する。【構成】 ホタル石型構造を有する酸素イオン導電性酸化物固体電解質(安定化ジルコニア膜2)に、アルカリ土類金属の酸素酸塩、有機酸塩及び有機金属化合物からなる群から選択された材料を塗布した後、酸化雰囲気中で800°C以上の温度に加熱して焼成し、前記酸化物イオン導電性固体電解質にアルカリ土類金属を拡散反応させることにより、ペロブスカイト型結晶構造のプロトン導電性固体電解質(SrZrO3膜1)を析出させる。これにより、安定化ジルコニア膜2とSrZrO3膜1との積層膜からなるイオンジャンクションを有する固体電解質が製造される。

請求項（抜粋）：

ホタル石型構造を有する酸素イオン導電性酸化物固体電解質部と、アルカリ土類金属の酸素酸塩、有機酸塩及び有機金属化合物からなる群から選択された材料の焼成膜により形成されたプロトン導電性固体電解質部とを有し、両者間にイオンジャンクションが形成されていることを特徴とするイオンジャンクションを有する固体電解質。

IPC (6件)：

C04B 41/87 ,  C30B 29/22 ,  C30B 33/00 ,  G01N 27/406 ,  G01N 27/409 ,  H01M 8/02

FI (6件)：

C04B 41/87 A ,  C30B 29/22 Z ,  C30B 33/00 ,  H01M 8/02 K ,  G01N 27/58 Z ,  G01N 27/58 A