特許
J-GLOBAL ID：200903057222968248
エラーチェック訂正技法を用いて不揮発性メモリユニットのデータ保持損に応答する装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 清水 邦明
, 林 鉐三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144767
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342112
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】フラッシュメモリユニットのような不揮発性メモリユニットにおいて、電荷の減損が、読み出し動作の間のエラーを生じさせ得る。エラーチェック訂正技法を用いることによって、検出されたエラーが訂正できるかどうか、そして、もし訂正可能であるならば、そのエラーを表示するそのビット位置での電荷の減損と一致するエラーであるかどうか、測定を行うことができる。【解決手段】訂正可能なエラーが検出されるとき(33、34、35、36)、信号グループアドレス及び訂正パターンが蓄積されて(38)中断要求フラッグが中央処理ユニットに印加される(39)。その中断フラッグが処理されるとき、中央処理ユニットは、信号グループアドレスと訂正パターンとを用いて、メモリユニット(40)におけるビット位置の電荷を復元する。このようにして、復元されるビット位置を含む更なる読み出し動作によって、訂正されるエラーが繰り返されることはない。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリユニットから検索される信号グループにおけるエラーに応答する方法であって、
前記エラーが訂正可能であるとき、エラーチェック訂正技法を用いて前記信号グループにおける前記エラーを訂正し、
前記エラーが故障ビット位置と一致するならば、前記ビット位置と関連する電荷を復元する
ステップを備える方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G06F12/16 320M
, G06F12/16 320F
, G11C29/00 631Z
5B018GA02
, 5B018GA05
, 5B018GA06
, 5B018HA15
, 5B018HA21
, 5B018KA21
, 5B018MA01
, 5B018MA34
, 5B018NA06
, 5B018QA14
, 5B018RA01
, 5L106AA10
, 5L106BB11
, 5L106FF05
, 5L106GG05
