特許

J-GLOBAL ID：200903057225980745

固体試料の表面改質方法、不純物活性化方法、半導体装置の製造方法

発明者： 節原 裕一 ,  橋田 昌樹 ,  藤田 雅之
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-134000
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317767
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】 ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21上にゲート絶縁膜23を介してゲート電極24を形成する。そして、半導体基板21におけるゲート電極24以外の領域にパルス幅が10〜1000フェムト秒の超短パルスレーザー光を照射し、非晶質層26aを形成する。次に、半導体基板21に対して非晶質層26aを選択的にエッチングして凹部27を形成し、該凹部27に半導体基板21よりも不純物濃度が高い半導体層28を埋め込み、ソース・ドレイン拡張部31を形成する。また、ゲート電極24およびソース・ドレイン拡張部31以外の領域には、ソース・ドレイン拡張部31よりも深いDeep拡散層30が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

固体試料に対して、パルス幅が10〜1000フェムト秒のパルスレーザー光を照射し、前記固体試料の表面層のみを、結晶相から非晶質相に、あるいは、非晶質相から結晶相に改質させることを特徴とする固体試料の表面改質方法。

IPC (4件)：

H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/265 602C ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 E ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 301S

Fターム (44件)：

5F052AA02 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140AA39 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK03 ,  5F140BK08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK18 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 固体試料のアニール方法および半導体不純物ドーピング層形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-156330   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-084501   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-304010   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 半導体の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-108251   出願人：シャープ株式会社
• 固体試料のアニール方法および半導体不純物ドーピング層形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-156330   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-266424
  
• 特開平3-266424
  
• 特開平3-266424