特許

J-GLOBAL ID：200903057226287245

エッチング方法

発明者： 鈴木 克典 ,  川口 福蔵
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022782
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223605
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】シリコン酸化膜の形成が不要であって、シリコン窒化膜のチャーダメージを発生させずにシリコン窒化膜の所望の部分をエッチングすることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン窒化膜13の表面を酸素ラジカルでエッチングし、その後エッチングする部分以外の部分にレジストパターン14を形成しレジストパターン14の形成されていない部分をエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、該シリコン窒化膜表面にレジストパターンを形成し、該シリコン窒化膜をエッチングするエッチング方法において、前記シリコン窒化膜を形成した後、前記レジストパターンの形成に先立って、前記シリコン窒化膜表面を酸素を主とするプラズマでエッチングすることを特徴とするエッチング方法。