特許

J-GLOBAL ID：200903057227272586

半導体気相成長装置

発明者： 佐藤 満雄 ,  吉川 清 ,  佐藤 裕輔
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197101
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045261
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は化合物半導体等の半導体気相成長装置に関し、ヒーターの機械的強度を損なうことなくサセプタの温度分布を均一にすることにより、均一な特性(発振波長分布等)の半導体装置を生成可能な半導体気相成長装置を提供することを目的とする。【構成】 水冷形反応室内で半導体基板21を載置して回転自在なサセプタ1と、サセプタ1を加熱するヒーター2とを有して構成し、ヒーター2は、内側ヒーター3及び外周ヒーター4に2分割され、内側ヒーター3及び外周ヒーター4は電気的に並列接続され、外周ヒーター4の温度は内側ヒーター3の温度より高くなるよう制御される。

請求項（抜粋）：

水冷形反応室内で半導体基板を載置して回転自在なサセプタと、前記サセプタを加熱するヒーターとを有し、前記ヒーターは、内側ヒーター及び外周ヒーターに2分割され、前記内側ヒーター及び外周ヒーターは、電気的に並列接続されていることを特徴とする半導体気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-077375
  
• 特開昭63-278322
  
• 特開平2-027715