特許

J-GLOBAL ID：200903057232070576

半導体レーザアレイとその駆動方法

発明者： 乙間 広己 ,  植木 伸明 ,  福永 秀樹 ,  中山 秀生 ,  瀬古 保次 ,  布施 マリオ
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321401
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 電流密度分布が中央で凹み有する形状を実現させる電流注入方法を採用した発光点の移動可能な半導体レーザアレイにおいて、光ディスクのトラッキングに必要な微小な間隔での発光点の移動を実現すること。【構成】 半導体基板101と、この半導体基板101上に第一のクラッド層104と活性層105と第二のクラッド層106とコンタクト層107の半導体層を順次積層し、コンタクト層107上に複数の第一ストライプ電極111〜114を有する半導体レーザにおいて、コンタクト層108とは反対側の半導体基板101上にも複数の第二ストライプ電極115〜117を備え、かつ、第二ストライプ電極115〜117は、隣り合った第一ストライプ電極111〜114の間に対応する半導体基板101上の位置に設置されており、かつ、ストライプ電極111〜114、115〜117の間を絶縁するか、電極直下を良伝導性とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に少なくとも第一導電型の第一のクラッド層と活性層と第二導電型の第二のクラッド層と第二導電型のコンタクト層の半導体層を順次積層し、第二導電型のコンタクト層上に複数の第一ストライプ電極を有する半導体レーザにおいて、上記第二導電型のコンタクト層とは反対側の半導体基板上にも複数の第二ストライプ電極を備え、かつ、上記第二ストライプ電極の付設される位置は、上記隣り合った第一ストライプ電極間に対応する半導体基板上の位置であり、かつ、ストライプ電極の間を絶縁したことを特徴とする半導体レーザアレイ。