特許

J-GLOBAL ID：200903057232407384

薄膜トランジスタ用の絶縁体または平坦化層としての低温ゾルゲルシリケート

発明者： トーマス アルバート ブレイマー ,  クリスティーン ペック クレッツ ,  トーマス ジョン マークレー ,  スコット ジェフリー ウェイゲル
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-185644
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124431
出願日： 2007年07月17日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。【解決手段】135°Cから250°Cで硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値(9×10-9A/cm2から1×10-10A/cm2)を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタのゲート絶縁層または層間絶縁層であって、この層が約250°C未満の温度で処理されたゾルゲルシリカ含有配合物を含んでなる、薄膜トランジスタのゲート絶縁層または層間絶縁層。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L21/312 C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L21/316 G

Fターム (50件)：

5F058AA10 ,  5F058AB02 ,  5F058AB05 ,  5F058AB06 ,  5F058AB07 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058AH04 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB02 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA18 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110NN22 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33