特許

J-GLOBAL ID：200903057238920318

光起電力装置及びその製造方法

発明者： 田口 幹朗 ,  浅海 利夫 ,  寺川 朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324209
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、結晶系半導体と非晶質系半導体薄膜との界面特性を向上させ、接合特性を改善させることを目的とするものである。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板11とp型非晶質シリコン薄膜13をi型非晶質シリコン薄膜12を介在させて積層するとともに、単結晶シリコン基板11の裏面側にi型非晶質シリコン層14介在させてn型非晶質シリコン層15を設ける光起電力装置の製造方法において、単結晶シリコン基板11の表面に水素ガスとボロンを含むガスとの混合ガスを用いてプラズマ放電させて単結晶シリコン基板11の表面にプラズマ処理を施した後、i型非晶質シリコン層12を形成し、単結晶シリコン基板11とi型非晶質シリコン層12との界面にボロン原子を介在させる。

請求項（抜粋）：

一導電型の結晶系半導体上に、荷電子制御しないか又は実質的に真性な非晶質系半導体薄膜を介在させて一導電型又は他導電型の非晶質系半導体薄膜を設けた光起電力装置において、前記結晶系半導体と荷電子制御しないか又は実質的に真性な非晶質系半導体薄膜とが形成する界面に一導電型又は他導電型の不純物を存在させたことを特徴とする光起電力装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/24

FI (4件)：

C23C 16/24 ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 V

Fターム (28件)：

4K030AA20 ,  4K030BA24 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030LA16 ,  5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA32 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051CA40 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-130671号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-372418   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-284427   出願人：三洋電機株式会社