配線の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206136
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】ストレスマイグレーション耐性の大きな微細配線を実現する。【構成】絶縁膜1の上に形成したタングステン膜2の上にアルミニウム或いはアルミニウムとシリコンの合金からなる配線3を選択的に形成した後、タングステン膜2を電極として配線3の表面を化成法で酸化してアルミナ膜4を形成し、配線3をマスクにしてタングステン膜2をエッチングし、配線3を含む表面にカバー絶縁膜5を形成する。【効果】配線と周囲の絶縁膜の中間の熱膨張係数を有するアルミナ膜を配線の表面に設けることにより、周辺の絶縁膜が配線に与える熱応力を低減させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた絶縁膜上に高融点金属膜を形成し前記高融点金属膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる配線を選択的に設ける工程と、前記高融点金属膜を電極として前記配線の表面を化成法により酸化しアルミナ膜を形成する工程と、前記配線をマスクとして前記高融点金属膜をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/95

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