特許

J-GLOBAL ID：200903057245032347

III族窒化物系化合物半導体

発明者： 西島 和樹 ,  千田 昌伸 ,  千代 敏明 ,  伊藤 潤 ,  林 稔真 ,  柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055094
公開番号（公開出願番号）：特開2003-252700
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】より少ない工程による貫通転位の抑制されたIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。【解決手段】サファイア基板1上にドライエッチングによりサファイア基板1の少なくとも一部を点状、ストライプ状又は格子状等の島状に改質処理する工程と、AlNバッファ層4をサファイア基板1上に形成する工程と、サファイア基板1の改質処理されなかった表面に形成されたAlN層4aを核として、所望のIII族窒化物系化合物半導体5を、サファイア基板1の改質処理された表面上に形成されたAlN層4bを空間無く覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有し、AlNバッファ層4は、Alをターゲットとし、窒素雰囲気化で行う反応性スパッタリング法による。

請求項（抜粋）：

サファイア基板の上にAlNバッファ層を介してIII族窒化物系化合物半導体を成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法であって、ドライエッチングにより前記サファイア基板の少なくとも一部を点状、ストライプ状又は格子状等の島状に、次に成長させるAlNバッファ層の膜厚よりも浅い深さに改質処理する工程と、前記AlNバッファ層を改質処理後の前記サファイア基板の上に形成する工程と、所望のIII族窒化物系化合物半導体を、前記サファイア基板の改質処理されなかった表面に形成された前記AlNバッファ層を各として縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有し、前記AlNバッファ層は、Alをターゲットとし、窒素雰囲気化で行う反応性スパッタリング法によることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (33件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE02 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077SC10 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-108497   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-168079   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-356459   出願人：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-071350   出願人：豊田合成株式会社