特許
J-GLOBAL ID：200903057245128182
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310427
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】2層の埋め込み絶縁層を有し、最上層のシリコン結晶が高品質なSOI構造の半導体装置を、簡単かつ簡便な方法で短時間に製造することを目的とする。【構成】単結晶シリコン基板1の表面に適宜な方法で二酸化シリコン膜2(4)を形成する。CVD法により、二酸化シリコン膜2の表面にアモルファス・シリコン膜6を堆積する。二酸化シリコン膜2とアモルファス・シリコン膜6とを形成した単結晶シリコン基板1を、2枚用意する。そして、2枚の単結晶シリコン基板1のアモルファス・シリコン膜6どうしを密着させた後、熱処理(1000°Cで90分間)を行う。この熱処理により、アモルファス・シリコン膜6を結晶化させて多結晶シリコン膜3を形成する。多結晶シリコン膜3が形成されることにより、2枚の単結晶シリコン基板1は接着される。一方の単結晶シリコン基板1を裏面からエッチングし、単結晶シリコン層5のみを残す。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の表面に絶縁膜を形成する第1の工程と、その絶縁膜の上にシリコン膜を堆積する第2の工程と、第1および第2の工程により単結晶シリコン基板に絶縁膜とシリコン膜とが形成されたウェハを2枚用意し、その2枚のウェハのシリコン膜どうしを密着させて熱処理を行うことにより、シリコン膜どうしを接合させて2枚のウェハを貼り合わせる第3の工程と、一方のウェハの単結晶シリコン基板を裏面から除去して所定の厚さに形成する第4の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 27/12
