特許
J-GLOBAL ID：200903057251381590
Cr膜のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076811
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263974
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 Cr膜の断面をテーパー形状にして、上層の被覆性を向上し、良好な特性を得る。【解決手段】 TFTのゲート電極、LCDの遮光膜に用いられるCr膜のエッチング方法において、あらかじめウエットエッチングによって所定のパターンを形成した後、断面をテーパー化するためにドライエッチングを行う。エッチングガスとして塩素系と酸素の混合ガスを用いることで、Crの側壁が塩素系ガスと酸素によりエッチングされるとともに、レジスト(R)が酸素によってエッチングされるので、レジスト(R)に接した上部が基板(1)に接した下部よりもエッチング速度が高くなり、結果的テーパー形状が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたCr膜のエッチング方法において、前記Cr膜の所定の領域上にレジストを形成する工程と、ウエットエッチングにより前記レジストが形成されていない領域の前記Cr膜を除去する工程と、ドライエッチングにより前記レジストとその下に残された前記Cr膜の露出された表面を適量除去することで前記Cr膜の断面をテーパー化することを特徴とするCr膜のエッチング方法。
IPC (7件)：
C23F 1/00
, C23F 1/26
, C23F 4/00
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
C23F 1/00 A
, C23F 1/26
, C23F 4/00 A
, G02F 1/1335 500
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
, H01L 29/78 627 C
