絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020365
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223883
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】オン電圧の改善に着目し、オン電圧を更に低減したIGBTを提供する。【解決手段】 n型ベース層1の表面内にp型ベース層11と独立してn型バッファ層41が選択的に形成され、n型バッファ層41の表面内に不純物濃度が比較的高濃度なp型コレクタ層17が選択的に形成されている。フィールド酸化膜12のp型ベース層11側の端縁部と、p型ベース層11の端縁部との間のn型ベース層1の表面内には、p型ベース層11に隣接してn型ベース層21が選択的に形成されている。また、フィールド酸化膜12のp型ベース層11側の端縁部からは、n型ベース層21の上部からn型エミッタ層15の端縁部近傍のp型ベース層11上部にかけてゲート絶縁膜13が延在し、ゲート絶縁膜13の上部およびフィールド酸化膜12の一部上部にかけてゲートとなるポリシリコン膜14が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面内に選択的に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の表面内に選択的に形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第1の半導体層の表面内に前記第2の半導体層と独立して選択的に形成された第2導電型の第4の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第4の半導体層側の側面に隣接して選択的に形成された第1導電型の第5の半導体層と、少なくとも前記第3の半導体層の近傍の前記第2の半導体層の上部に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された制御電極部と、を備え、前記第5の半導体層の不純物濃度が、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高いことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

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