特許

J-GLOBAL ID：200903057258479995

半導体記憶装置

発明者： 大湯 静憲 ,  川本 佳史 ,  飯島 晋平 ,  中田 昌之 ,  平山 美鈴 ,  菅原 安浩 ,  田中 利広
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165554
公開番号（公開出願番号）：特開平10-011977
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ誘電膜中の電荷の影響を受けた記憶情報の破壊を防止し、情報記憶部の記憶能力劣化を防止する。【解決手段】 情報の保持のための再書き込みや書換えの際に、再書き込みや書換えの前の情報から一旦反対の情報にした後、再書き込み情報や新しい書換え情報をキャパシタ誘電膜に記憶する。【効果】 情報記憶部の記憶能力劣化のない情報を記憶する装置を実現できる。また、その記憶能力の安定性や信頼性も向上できる。

請求項（抜粋）：

直列に接続されたMISFETとキャパシタとを有するメモリセルと、上記MISFETに接続されたデータ線と、上記データ線に具備されたセンスアンプと、上記データ線に具備された情報反転部を有し、上記センスアンプは上記メモリセルに記憶された情報を増幅し、上記情報反転部は上記センスアンプにより増幅された情報と反対の情報を上記メモリセルに印加するように構成されたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 691