特許
J-GLOBAL ID:200903057261963326

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-224146
公開番号(公開出願番号):特開2001-053176
出願日: 1999年08月06日
公開日(公表日): 2001年02月23日
要約:
【要約】【課題】 煩雑な設定、調整等を必要とすることなく、簡便に、良好な品質にてダイオード等の半導体装置の極性や品種等の各種表示を行う。【解決手段】 ガラススリーブ4の内部にダイオード素子等のペレットを封入し、このガラススリーブ4の両端に、ペレットのアノードおよびカソードにそれぞれ接続された一対のリード線3を突設させたDHDタイプのダイオード7において、ガラススリーブ4の表面に、ボディー塗装部8を形成するとともに、カソードとして機能するリード線3の側に非塗装部8aを設けることで、極性識別を行うダイオードである。品種の識別は、ボディー塗装部8の色にて行う。また、必要に応じて、ボディー塗装部8の上に、インクジェットやレーザ照射にて品種表示用の文字パターンを配置してもよい。
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子を封止する外囲器と、前記半導体素子に接続され、前記外囲器の外に突出される複数のリード線とを含む半導体装置であって、前記外囲器の表面に施され、少なくとも前記リード線の極性表示を行うボディー塗装部を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/00 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/48
FI (3件):
H01L 23/00 A ,  H01L 23/28 H ,  H01L 23/48 A
Fターム (2件):
4M109AA03 ,  4M109GA06

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