特許
J-GLOBAL ID：200903057263648924
半導体ウエハー研磨装置における研磨方法及び研磨制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277301
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106984
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 最新の研磨用不織物表面の状況や研磨液の成分や温度等の研磨条件を研磨に反映し、高精度の研磨ができる半導体ウエハー研磨制御装置を提供する。【解決手段】 ポリッシング時間演算ユニット3と、ポリッシング時間振り分けユニット4及び研磨部制御部5を具備し、初期研磨に際して、入力装置2から目標膜厚値MTを入力すると共に初期研磨時間T0を入力し、研磨装置の研磨部で1枚目の半導体ウエハーを時間T0だけ研磨した後、時間T0及び研磨前の測定膜厚値MIと研磨後の測定膜厚値MF1から次回以降所定枚数目までの最適研磨時間T1を算出し、各半導体ウエハーを該最適研磨時間で研磨し、その研磨終了後毎にそれ以降の所定枚数目の半導体ウエハーの最適研磨時間を算出し、各半導体ウエハーを該最適研磨時間で研磨し、以降順次研磨終了毎にそれ以降の所定枚数目の半導体ウエハーの最適研磨時間を算出し、各半導体ウエハーを研磨する。
請求項（抜粋）：
研磨装置に1ロットが多数枚からなる半導体ウエハーをロット毎装填し、該半導体ウエハーを1枚ずつ目標膜厚値に研磨する半導体ウエハー研磨装置における研磨方法であって、半導体ウエハーの研磨後に該研磨における研磨時間、目標膜厚値、半導体ウエハーの研磨前の測定膜厚値及び研磨後の測定膜厚値から最適研磨時間を半導体ウエハーの研磨毎に算出し、該研磨毎に算出した最適研磨時間を次回以降の半導体ウエハーの研磨に適用し、前記1ロットの半導体ウエハーの全枚数が終了するまで継続することを特徴とする半導体ウエハー研磨装置の研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
H01L 21/304 321 M
, B24B 37/04 D
