特許

J-GLOBAL ID：200903057266074600

アバランシェホトダイオード

発明者： 田中 滋久 ,  伊藤 和弘 ,  大▲歳▼ 創 ,  松岡 康信 ,  大野 智弘 ,  藤崎 寿美子 ,  大家 彰 ,  辻 伸二
出願人/特許権者： 日本オプネクスト株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-241283
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004812
出願日： 2008年09月19日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】暗電流を低く抑えることができる新規の構造を採用した信頼性の高いメサ型のアバランシェホトダイオード及びその製造方法を提供すること。【解決手段】光を吸収してキャリアを発生する光吸収層と、発生したキャリアを増倍する増倍層と、光吸収層と増倍層の間に挿入された電界調整層とを有し、増倍層の少なくとも一部と電界調整層の一部を含む第一のメサ(台地)が基板上に形成され、更に電界調整層の他の一部と光吸収層を含む第二のメサが第一のメサ上に形成される。第一のメサの頂部の面積は、第二のメサの底部の面積よりも大きく、第一のメサの頂部の第二のメサに覆われない面と第二のメサの側面に半導体層が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、 発生したキャリアを増倍する増倍層と、 光を吸収してキャリアを発生する光吸収層と、 前記増倍層と前記光吸収層との間に設けられた電界調整層と、を備え、 前記増倍層と前記電界調整層とで、第1のメサ形状部分が構成され、 前記光吸収層で第2のメサ形状部分が構成され、 前記電界調整層の頂面部分は素子表面に露出する部分を有し、 前記電界調整層の前記光吸収層に接する領域のキャリア濃度よりも、前記電界調整層の素子表面に露出する部分の露出する領域のキャリア濃度が低いことを特徴とするアバランシェホトダイオード。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (9件)：

5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA15 ,  5F049QA20 ,  5F049SS02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-016662   出願人：日本電気株式会社