特許
J-GLOBAL ID：200903057266370161
半導体配線膜及びそのバリア膜の製造方法並びに半導体配線膜及びそのバリア膜の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123359
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326443
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 高いアスペクト比の微細コンタクトホールに断差被覆性の高い配線膜を形成することができ、耐エレクトロマイグレーションに優れた超LSIの微細配線膜を信頼性高く製造する。【構成】 半導体配線膜の製造装置を用いた製造方法では、コンタクトホール11を有するLSI用基板1の表面に、その基板の下方の異なった位置でイオンビーム装置3、4の中心軸の延長線が回転駆動機構2で回転するLSI用基板1の表面の回転中心で位置するようにそれぞれ傾斜して配設されたイオンビーム蒸着装置3、4から複数種の蒸着物質をそれぞれ同時に斜め蒸着することにより、複数種の蒸着物質が混合したLSIの微細配線膜を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
コンタクトホールを有するLSI用基板の表面に、その下方からイオンアシスト蒸着法によって複数の蒸着物質をそれぞれ同時に斜め蒸着することにより、複数種の蒸着物質が混合したLSIの微細配線膜を形成することを特徴とする半導体配線膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, H01L 21/203
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
