特許

J-GLOBAL ID：200903057267423021

イオンビーム発生装置

発明者： 木村 親夫 ,  佐藤 高
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150960
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で酸素イオンビームなどのガスフェーズのイオンビームが得られ、たとえばスパッタリングにより成膜された表面または固体表面の原子と化学反応させて直接描画可能なイオンビーム発生装置を提供する。【解決手段】 真空チャンバー7の真空隔壁の一部として、固体電解質層4が設けられ、その固体電解質層4と対向して被加工物載置台15が真空チャンバー7内に設けられている。そして、固体電解質層4の被加工物載置台15側に集束電極5と、加速電極6とが設けられており、固体電解質層4の真空隔壁外にイオン源となる気体が供給され、その気体を構成する元素のイオンが固体電解質層4を移動して被加工物載置台15側にイオンビームを照射する構造になっている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、該真空チャンバーの真空隔壁の一部として設けられる固体電解質層と、該固体電解質層と対向して前記真空チャンバー内に設けられる被加工物載置台と、前記固体電解質層の前記被加工物載置台側に設けられる集束電極と、該集束電極よりさらに前記被加工物載置台側に設けられる加速電極とからなり、前記固体電解質層の真空隔壁外にイオン源となる気体が供給され、該気体を構成する元素のイオンが前記固体電解質層を移動して前記被加工物載置台側にイオンビームを照射するイオンビーム発生装置。

IPC (4件)：

H01J 27/26 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/305

FI (4件)：

H01J 27/26 ,  C23C 14/48 A ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/305 A

Fターム (7件)：

4K029CA03 ,  4K029DE01 ,  4K029DE04 ,  5C030DF01 ,  5C030DG09 ,  5C034BB09 ,  5C034BB10