特許

J-GLOBAL ID：200903057268801984

ヘリコン波プラズマ処理装置

発明者： 堀池 靖浩 ,  庄司 多津男 ,  奈良井 哲
出願人/特許権者： 堀池 靖浩 ,  庄司 多津男 ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020063
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232055
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 ヘリコン波プラズマ処理装置において,高周波電力を印加するRFアンテナに生じる高周波電位の影響により反応室内に不純物を発生させないアンテナ構成を備えたヘリコン波プラズマ処理装置を提供する。【構成】 反応室2内に磁気コイル4から磁場を印加すると共にRFアンテナ9から高周波電力を印加してガス導入ポート5から導入された処理ガスをプラズマ化し,反応室2に連通するプロセス室3内の所定位置に配置した被処理物8をプラズマ処理する。RFアンテナ9は高密度なプラズマが生成される磁気コイル4配設位置から離れた位置に配設され,高周波電力をプラズマ生成領域に印加するので,RFアンテナ9に高周波的な電位が生じても,RFアンテナ9配設位置のプラズマイオンは少なく,反応室2を形成する石英等をスパッタして不純物を発生させることが減少し,不純物混入による処理不良の発生が防止される。

請求項（抜粋）：

真空容器内にRFアンテナから高周波電力を印加すると共に磁気コイルから磁場を印加して,該真空容器内に導入された処理ガスをプラズマ化し,該プラズマにより前記真空容器内の所定位置に配置した被処理物をプラズマ処理するヘリコン波プラズマ処理装置において,前記RFアンテナが,前記真空容器内のプラズマ生成領域外であって,該プラズマ生成領域に高周波電力を印加できる位置に配設されてなることを特徴とするヘリコン波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23F 4/00 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-091980
  
• 特開昭55-010135
  
• 特開平3-068773