特許

J-GLOBAL ID：200903057268898040

シクロドデセンの製造方法

発明者： 柏木 公一 ,  杉浦 良二
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180236
公開番号（公開出願番号）：特開平5-331075
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：

【要約】【構成】本発明は、シクロドデカトリエンを選択的に水素化してシクロドデセンを製造する方法に関する。シクロドデカトリエンを選択的に水素化する触媒として、ルテニウム錯体、3級リン化合物及びスズハイドライドまたはゲルマニウムハイドライドよりなる触媒の存在下にてシクロドデカトリエンを水素化することによるシクロドデセンの製造方法である。【効果】本発明によると反応速度を大幅に改善出来ることを見出し、シクロドデセンへの高い選択率を維持したまま高い反応速度を得ることが出来て、しかも触媒量を削減出来る方法である。

請求項（抜粋）：

シクロドデカトリエン-1,5,9を一般式RuX2(CO)2(R3P)2(Xはハロゲン(Cl,Br,I),Rは炭素数1〜8のアルキル基,シクロアルキル基またはアリール基を示す。)で表されるルテニウム錯体、一般式R13P(R1は炭素数1〜8のアルキル基,シクロアルキル基もしくはアリール基を示す。)で表される3級リン化合物および一般式R2mZH(4-m)(R2は炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基を示す。mは1〜3を示す。)で表されるスズハイドライドまたはゲルマニウムハイドライドよりなる触媒の存在下で水素化しシクロドデセンを生成することを特徴とするシクロドデセンの製造方法。

IPC (4件)：

C07C 13/275 ,  B01J 31/16 ,  C07C 5/05 ,  C07B 61/00 300