特許
J-GLOBAL ID：200903057270330980
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313346
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 シフタエッヂ部での位相差ズレのない位相シフトマスクを安定に製造する。【構成】 金属膜4からなるシフタ形成用窓41を通して石英基板1裏面より紫外光を照射しながらSiO膜61を選択的に成長させることによりシフタを形成する。【効果】 SiO膜のエッチング工程がないため、石英基板のエッチングが生ずることなく位相シフトマスクを製造できるため、シフタエッヂ部での位相差ズレを抑制できる。
請求項（抜粋）：
位相シフト法を用いた位相シフトマスクを製造する方法において、石英基板上に金属膜を形成する工程と、フォトレジストをマスクとして、前記金属膜をエッチングし、シフタ形成領域に窓を開ける工程と、前記窓を通して石英基板裏側から紫外線を照射しながらSiO膜をシフタ形成領域に選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
