特許

J-GLOBAL ID：200903057271619461

偏光放射エネルギーを用いる半導体処理装置および方法

発明者： シェーン アール.パーマー ,  ゴング チェン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307914
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288222
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】改良された、偏光放射エネルギーを用いる半導体処理の装置および方法を開示する。【構成】半導体ウェハ14上の放射感受性材料層12を露光するための光リソグラフ装置10が提供される。装置10は、偏光放射エネルギー源18と、マスク20と、レンズ22と、を含む。光源28からの放射エネルギーは、偏光フィルタ30により所定方向に偏光せしめられる。偏光せしめられた放射エネルギーは、マスク20を通過せしめられ、層12を所定パターンに露光する。駆動部材32は、1回の露光中に、偏光せしめられた放射エネルギーに対し1つより多くの偏光方向を与えるために偏光フィルタ30を回転せしめ得る。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上の放射感受性材料層を露光するための光リソグラフ装置であって、該装置が、偏光放射エネルギー源であって、該放射エネルギーが所定方向に偏光している該偏光放射エネルギー源と、該放射エネルギー源と前記ウェハとの間に配置されうるマスクと、該マスクを通して送られた前記偏光放射エネルギーを前記ウェハ上に集束させて前記放射感受性材料を所定パターンに露光するレンズと、を含む光リソグラフ装置。