半導体装置の作製方法および液晶表示装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-107155
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323409
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】新規な半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】本発明による半導体装置の作製方法は、水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜上にニッケルを含有した溶液を塗布したのち乾燥させ、前記アモルファスシリコン膜中にニッケルを熱的に拡散させることによって、水素の離脱を促進させ、前記アモルファスシリコン膜にレーザー光または強光を照射することによって、該アモルファスシリコンを結晶化する半導体装置の作製方法であって、前記ニッケルを含有した溶液は水、アルコール、酸またはアンモニアからなる溶媒と、臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、炭酸ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトネート、4-シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケルからなる溶質とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜上にニッケルを含有した溶液を塗布したのち乾燥させてニッケルもしくはニッケル化合物の層を形成し、前記アモルファスシリコン膜中にニッケルを熱的に拡散させることによって、水素の離脱を促進させ、前記アモルファスシリコン膜にレーザー光または強光を照射することによって、該アモルファスシリコンを結晶化する半導体装置の作製方法であって、前記ニッケルを含有した溶液は水、アルコール、酸またはアンモニアからなる溶媒と、臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、炭酸ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトネート、4-シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケルからなる溶質とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

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