特許

J-GLOBAL ID：200903057275568365

強誘電体メモリ装置

発明者： 山田 淳一 ,  小池 洋紀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191207
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039882
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 1T1C型強誘電体メモリのセンスアンプにおけるリファレンス電圧発生方法を提供する。【解決手段】 メモリセルと同一形状の強誘電体容量を用いたダミーセルDMC1、DMC2は、予め読み出し時に分極が反転しない分極方向に設定されている。センスアンプSA1には読み出し時に意図的にオフセットを持たせるためにトランジスタT1とT2が付加されている。読み出し時には、ダミーセル側のトランジスタをON、メモリセル側のトランジスタをOFFとする。T1、T2のサイズは、見かけ上リファレンス電位を分極が非反転の時のビット線読み出し電位よりもわずかに高くするものを選ぶ。

請求項（抜粋）：

強誘電体膜を用いたキャパシタ1個とMOSトランジスタ1個とで構成されるモメリセルが複数接続されたビット線と、前記ビット線2本と接続されたセンスアンプの組み合わせを複数有し、前記強誘電体膜の分極方向を2情報に対応させて記憶する強誘電体メモリ装置において、前記ビット線それぞれに前記メモリセルと構成およびキャパシタサイズが同じダミーセルを1個ずつ接続し、前記センスアンプは読み出し時に意図的にアンバランスを持たせてオフセットを発生させる手段を有し、前記ダミーセルの分極非反転読み出し信号電位とセンスアンプのオフセットを用いて発生させる電位を基準にしてメモリセルデータを読み出すことを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/00 634 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112050   出願人：日立マクセル株式会社