特許
J-GLOBAL ID:200903057279247601
処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
守谷 一雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-187791
公開番号(公開出願番号):特開平5-036597
出願日: 1991年07月26日
公開日(公表日): 1993年02月12日
要約:
【要約】【目的】半導体ウェハ等の被処理体をレジスト等の塗布液を塗布して処理する際に、半導体ウェハの中央部と周辺部との周速の差異等に基づくレジスト膜の厚さの不均一を解消し、極めて均一な膜厚の塗布膜を得る。【構成】半導体ウェハを回転させながらレジストを塗布する際に、半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせておく。半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせるには、塗布前に半導体ウェハを冷却するとき、同心円状に温度が分割制御された冷却プレートを用い、この冷却プレートで予め冷却するか、塗布装置の半導体ウェハ保持用チャックとして同心円状に温度が分割制御されたものを用い、塗布中に冷却する方法等がある。
請求項(抜粋):
被処理体に処理液を塗布して処理する際に、前記被処理体に温度分布を持たせたことを特徴とする処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/027
, B05D 1/40
, B05D 3/02
, G03F 7/16
FI (2件):
H01L 21/30 361 A
, H01L 21/30 361 D
引用特許:
前のページに戻る