特許

J-GLOBAL ID：200903057281267822

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 三田 久美子 ,  池田 真俊 ,  磯貝 宏道
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (2件)： 波多野 久 ,  関口 俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221485
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063883
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】ラッピング工程とエッチング工程が省略可能で、加工後のウェーハの平坦度及びナノトポグラフィが改善され、かつ、研磨取代の減少が図られてコストダウンが実現する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの製造方法は、単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程P1と、ウェーハの外周部を面取りする面取り工程P2と、面取りされたウェーハの両面の形状を測定する形状測定工程P3と測定されたウェーハの一面の形状に基づき、この一面を裏面として、この裏面をプラズマエッチングにより平坦化するプラズマエッチング工程P4と、ウェーハの裏面を治具で保持し、ウェーハの表面を研削する研削工程P5と、さらにこの表面を研磨する鏡面研磨工程P6とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハの両面の形状を測定する形状測定工程と、測定されたウェーハの一面の形状に基づきこの一面を裏面とし、この裏面をプラズマエッチングにより平坦化するプラズマエッチング工程と、ウェーハの裏面を治具で保持し、ウェーハの表面を研削する研削工程と、更にこの表面を研磨する鏡面研磨工程とを有することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

FI (4件)：

H01L21/304 622N ,  B24B1/00 A ,  H01L21/66 P ,  H01L21/302 105B

Fターム (21件)：

3C049AA03 ,  3C049AA04 ,  3C049AA07 ,  3C049AA18 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA11 ,  4M106CA24 ,  4M106CA48 ,  5F004AA11 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB22 ,  5F004BD03 ,  5F004CA08 ,  5F004CA09 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01