特許

J-GLOBAL ID：200903057286376506

フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置

発明者： 塚本 朗
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006160
公開番号（公開出願番号）：特開平8-194305
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置等の製造工程中のフォトリソグラフィー工程で使用されるフォトマスク中の繰り返し誤差を高精度に測定する。【構成】 所定の繰り返し周期を有する部分パターンからなるパターンを有するフォトマスクの検査が前提である。フォトマスク1をコヒーレント光源4で照明し、その反射光又は透過光に含まれるフォトマスクパターンを凸レンズ5でフーリエ変換し、アパーチャー6によりこのフーリエ変換により得られる空間周波数スペクトル中の所定周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数成分を除去し、フォトダイオードアレイ7によりこの空間周波数スペクトルを分析する。例えば、半導体メモリのフォトリソグラフィー工程で使用されるフォトマスクでは、メモリセルアレイ中の単位メモリセルに関する情報は除去され、繰り返し誤差に関する情報のみが空間周波数スペクトルのピークとして得られる。

請求項（抜粋）：

同一の部分パターンが所定の繰り返し周期で配置されてなるパターンを有するフォトマスクの検査方法であって、上記フォトマスクパターンを抽出するステップと、抽出されたフォトマスクパターンをフーリエ変換するステップと、フォトマスクパターンのフーリエ変換により得られる空間周波数スペクトルから、上記繰り返し周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数成分を除去するステップと、上記繰り返し周波数以上の周波数成分が除去された空間周波数スペクトルに基づき上記部分パターンの繰り返し誤差を検出するステップとを備えたことを特徴とするフォトマスクの検査方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 502 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭49-135581
  
• 特開昭55-124117
  
• 特開昭58-147120
  
• 特開昭51-091737