特許
J-GLOBAL ID：200903057286384703
結晶薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307062
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135147
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入量を大幅に低減し、スループットを向上させる結晶薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、イオン注入を部分的に行うことにより、さらに結晶の劈開性を利用することにより、全体としてのイオン注入量を大幅に減少させるものである。具体的には、結晶面として劈開性を有する結晶面とし、イオン注入を点状または線状に行うこと、さらに点状における点を結ぶ線または線状パタンの形成する線の方向を、劈開が容易な方向に指定するものである。
請求項（抜粋）：
結晶基板に上面からイオン注入を行い引き続き前記結晶基板を熱アニールすることにより、注入先端に形成されるイオン濃度が高い層を境に基板結晶から結晶薄膜を剥離する薄膜製造方法において、上記イオン注入を線状または格子状もしくは点状の領域に行うことを特徴とする結晶薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 31/04 X
