特許

J-GLOBAL ID：200903057290746369

半導体装置の製造方法

発明者： 山口 宇唯 ,  ▲片▼桐 創一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288356
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128112
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】銅配線の平坦化において、ディッシングやエロージョンが発生し、平坦化後の配線抵抗値のばらつき増大や銅の研磨残りによるショート等の発生などにより、歩留り低下などの課題があった。【解決手段】酸化剤、有機酸、防食剤、界面活性剤、純水からなる研磨液、研磨パッド、固定砥粒盤、研磨工具の表面をドレッシングできるドレッサを備え、加工初期段階においては銅を高速研磨する研磨液を研磨パッドに供給して研磨し、加工中期段階においては、銅の残段差解消するために凸凹選択比の高い研磨液を固定砥粒盤に供給して研磨し、バリア膜露出直前、或いは直後の加工後期段階においては銅とバリア膜がほぼ同一速度で研磨できるように研磨液を切り換えるとともにドレッサを駆動して加工中コンディショニングを行うことにより解決できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に開口部を有する絶縁膜に第1の導電膜と第2の導電膜を形成する工程と、 前記第1の導電膜と前記第2の導電膜の一部を研磨工具を用いて加工することにより除去し、前記開口部内に前記第1の導電膜および前記第2の導電膜を残存せしめる工程とを備え、 前記第2の導電膜の加工には第1の研磨工具を使用し、前記第2の導電膜の加工途中で第2の研磨工具に切り替える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14

FI (12件)：

H01L21/304 621B ,  H01L21/304 621C ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622M ,  H01L21/304 622R ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 H ,  B24B37/04 G ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA18 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17