特許
J-GLOBAL ID：200903057292922164
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063625
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267283
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】本発明は、スピンオングラス(SOG)を用いて、配線層等が形成されて凹凸を有する半導体基体の表面を平坦化する半導体装置の製造方法に関し、配線スペースの凹部に平坦化絶縁膜を十分に残すとともに、均一なエッチバックにより平坦度の優れた平坦化を行い、かつ平坦化のためのエッチバックの後に形成されるビアホールを介した上下の配線層のコンタクト抵抗値を安定に、かつ低く保持することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】基体41上の配線層13a〜13cを被覆して絶縁膜14を形成し、スピンオングラスを塗布・乾燥して平坦化絶縁膜15を形成し、フロン系ガス、又はフロン系ガス+不活性ガスの混合ガスからなる反応ガスを用いて平坦化絶縁膜15を、又は平坦化絶縁膜15及び絶縁膜14の表層をエッチバックすることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基体上の配線層を被覆して絶縁膜を形成する工程と、スピンオングラスを塗布し、乾燥して平坦化絶縁膜を形成する工程と、フロン系ガス、又はフロン系ガス+不活性ガスの混合ガスからなる反応ガスを用いて前記平坦化絶縁膜を、又は前記平坦化絶縁膜及び絶縁膜の表層をエッチバックする工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
