特許

J-GLOBAL ID：200903057296986590

磁気スイッチング素子及び磁気メモリ

発明者： 斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197920
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 消費電力が少ないアーキテクチャを有する磁気スイッチング素子及びこれを用いることにより高集積化が可能でしかも安価な超大容量の磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 電圧を印加することにより常磁性状態から強磁性状態に遷移する磁性半導体層(10)と、前記磁性半導体層に近接して設けられ、磁化(M1)方向が実質的に固着された強磁性層(20)と、を備え、前記磁性半導体層に電圧を印加した時に、前記強磁性層の前記磁化方向に応じた磁化(M2)が前記磁性半導体層に形成されることを特徴とする磁気スイッチング素子及びこれを2つ設けることにより磁気抵抗効果素子の記録層の対する書き込みを行う磁気メモリを提供する。

請求項（抜粋）：

電圧を印加することにより常磁性状態から強磁性状態に遷移する磁性半導体層と、前記磁性半導体層に近接して設けられ、磁化方向が実質的に固着された強磁性層と、を備え、前記磁性半導体層に電圧を印加した時に、前記強磁性層の前記磁化方向に応じた磁化が前記磁性半導体層に形成されることを特徴とした磁気スイッチング素子。

IPC (5件)：

H01L 29/82 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

H01L 29/82 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁化スイッチ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-283276   出願人：松下電器産業株式会社