特許

J-GLOBAL ID：200903057297126439

電界発光素子

発明者： 中山 隆博 ,  角田 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071796
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282981
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【構成】硝子基板101上に、TiO2 とSiO2 膜を積層した半透明反射膜102で形成している。その上に、前部透明電極(ITO)103,ホール注入層(ジアミン誘導体)104,発光層(アルミキレート)105,後部Ag:Mg金属電極106を、順に形成している。103,104,105の、それぞれの平均膜厚と屈折率の積から得られる光学的距離の和は、アルミキレートのEL発光のピーク波長の、530nmと一致させている。【効果】微小共振器構造を有する電界発光素子の、発光スペクトルの半値幅の減少,ピーク強度や発光効率の増大などの発光特性の向上を得ることができる。

請求項（抜粋）：

発光素子の透明電極と透明基板との間に、前記発光素子の発光の1部を前記透明基板側に透過し、1部を膜側に反射する前面反射鏡を持ち、前記前面反射鏡と背面の金属電極との間が光共振器として機能する電界発光素子において、前記透明電極の屈折率をn1、前記透明電極上に形成する半導体性薄膜の屈折率をn2、前記金属電極と接する前記半導体性薄膜の屈折率をn3、前記透明電極-前記半導体薄膜間の界面の荒さをa1、前記半導体薄膜-前記金属電極間の界面の荒さをa2とするとき、前記透明電極として、【数1】 |n1-n2|×a1<n3×a2 ...(数1)なる関係を満たす薄膜を用いることを特徴とする電界発光素子。