特許
J-GLOBAL ID：200903057297610632
半導体素子の欠陥調査用試験片の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
斎藤 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209245
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219430
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子形成がなされたウェーハ状態で、欠陥箇所が含まれた当該ダイのみを検査する半導体素子の欠陥調査用試験片の製造方法を提供する。【解決手段】 ウェーハのパターン層に発生した欠陥箇所を探す工程と、パターン層の全面に感光膜を形成する工程と、各ダイ別に分離されていないウェーハ状態で欠陥箇所が含まれたダイの後面の所定位置を中心として上部側の直径は大きく下部側の直径は小さな孔が空けられるまでダイの後面を研磨する工程と、研磨部位に残ったシリコン残留物をエッチングして除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
ウェーハのパターン層に存在する欠陥箇所を探す工程と、上記ウェーハの全面に感光膜を形成する工程と、各ダイ別に分離されていないウェーハ状態で欠陥箇所が含まれたダイの後面の所定位置を中心として上部側の直径は大きく下部側の直径は小さな孔が空けられるまでダイの後面を研磨する工程と、研磨部位に残ったシリコン残留物をエッチングして除去する工程とを含むことを特徴とする半導体素子の欠陥調査用試験片の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01N 1/32
, H01L 21/306
H01L 21/66 N
, H01L 21/66 J
, G01N 1/32 A
, G01N 1/32 B
, H01L 21/306 Z
