特許

J-GLOBAL ID：200903057300258805

バンプ構造及びその形成方法

発明者： 藤波 智也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294585
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 バンプを生長形成するときに、バンプの上面外形が広がらないようにすることにより、隣接するバンプのショート不良の発生を防止し、バンプを狭ピッチで形成することを可能とするバンプの構造及びその形成方法の提供を目的とする。【解決手段】 バンプ60の側面に金属膜50を膜厚2〜3μm形成することにより、バンプ60が生長形成する際に発生する外周方向に広がろうとすることを防ぎ、上面外形が外周方向に広がって生長形成されることを防止する。また、バンプの成形方法としても有効であり、隣接するバンプとのショート不良の発生を防ぐことができるとともに、さらなる狭ピッチ化されたバンプを有する半導体素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の表面に形成されるバンプ構造において、バンプの周面を金属膜で囲い、かつ、この金属膜を隣接する他の金属膜と接触しないように形成したことを特徴とするバンプ構造。

FI (2件)：

H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 604 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-220440
  
• バンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-273258   出願人：ローム株式会社
• 特開平2-220440