特許

J-GLOBAL ID：200903057300390860

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに製造装置

発明者： 森内 昇 ,  山谷 秀一 ,  大野 一博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004045
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 パターン露光時のフォーカシングまたはレベリング調整の際の露光光軸方向におけるウェハ位置の計測確度を向上する。【解決手段】 半導体ウェハ1上の露光領域3の4隅に計測サイト4を設け、この計測サイトにプローブ光を照射して露光光軸方向における半導体ウェハ1の位置を計測する。また、計測サイト4の表面形状は、平坦または特定のパターンに固定する。これにより、計測サイト4におけるプローブ光の反射位置を特定する。さらに、露光装置において、プローブ光の照射位置および反射プローブ光の受光位置を可変することができる計測位置可変機構を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表面に原版パターンの投影光を照射してレジストパターンが形成されるフォトリソグラフィ工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの表面に、前記投影光の光軸方向における前記半導体ウェハの位置を特定するための計測部位を設け、前記計測部位にプローブ光を照射し、前記プローブ光の反射プローブ光を計測して、自動的にフォーカシングまたはレベリングを実行することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

H01L 21/30 526 B ,  G03F 1/08 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 515 D