特許

J-GLOBAL ID：200903057304174827

フォトレジスト用最上部反射防止コーティングにおける金属イオン含有量の低減

発明者： ラーマン,エム.ダリル ,  ダーラム,ダナ エル.
出願人/特許権者： ヘキスト、セラニーズ、コーポレーション
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-503373
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504279
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】本発明は、特殊な処理を行なったイオン交換樹脂を使用する、金属イオン含有量が非常に低い最上部反射防止コーティング組成物の製造法を提供するものである。また、その様な最上部反射防止コーティング組成物を使用する半導体デバイスの製造法も提供する。

請求項（抜粋）：

下記のa)〜d)を含んでなることを特徴とする、金属イオン含有量が非常に低い最上部反射防止コーティングの製造法。a)酸性イオン交換樹脂を水で処理し、このイオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄することにより、イオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イオンの量をそれぞれ500ppb未満に下げること、b)適当な溶剤中5〜40重量%の、分子量が約500〜約100,000である水溶性有機カルボン酸重合体の溶液を用意すること、c)この水溶性有機カルボン酸重合体溶液をこのイオン交換樹脂に通すことにより、溶液中のナトリウムおよび鉄イオンの量をそれぞれ200ppb未満に下げること、d)(1)この処理した水溶性有機カルボン酸、 (2)フッ素含有低水溶性有機C3〜C13脂肪族カルボン酸、 (3)水酸化アンモニウム、および (4)適当な溶剤を混合して、最上部反射防止コーティング組成物を製造すること。

IPC (3件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/09 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/30 575