特許

J-GLOBAL ID：200903057305071037

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 田中 俊明 ,  紀川 健 ,  柳澤 浩徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076867
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283483
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】閾値電流を低減し、さらに高出力を得ることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【構成】レーザ光の横方向又は垂直共振器を形成したときの共振器端面に対して、高真空装置内で水素ラジカルビームを照射して原子状水素を端面及び端面近傍の半導体中に拡散吸着させ、伝導型を示すあらかじめ導入されている不純物に原子状水素を結び付け、端面及び端面近傍におけるp型及びn型キャリア濃度を最初に設定してある共振器内部の値よりも低く設定し、引き続いて水素ラジカルビームを照射する同一装置内でその場で高熱伝導率のコーティングを施し、所定の反射率を設定した端面保護膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた禁制帯幅の小さな発光活性層が両側にそれぞれ伝導型の異なる禁制帯幅の大きな光導波層に挟まれて形成される異種接合構造を有した半導体レーザ素子において、レーザ光の横方向又は垂直共振器を形成したときの共振器端面に対して、高真空装置内で水素ラジカルビームを照射して原子状水素を端面及び端面近傍の半導体中に拡散吸着させ、伝導型を示すあらかじめ導入されている不純物に原子状水素を結び付け、端面及び端面近傍におけるp型及びn型キャリア濃度を最初に設定してある共振器内部の値よりも低く設定し、引き続いて水素ラジカルビームを照射する同一装置内でその場で高熱伝導率のコーティングを施し、所定の反射率を設定した端面保護膜を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。