特許
J-GLOBAL ID：200903057311968367
アクテイブマトリクスパネルおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-100249
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 TFT特性の安定したアクティブマトリクスパネルを得る。【構成】 ゲート電極2がゲート信号線にソース電極またはドレイン電極6がデータ信号線に接続されるとともにマトリクス状に配列された複数のトランジスタ25と、該トランジスタ25のドレイン電極またはソース電極6に接続された電荷保持用蓄積容量30とからなる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネルにおいて、該トランジスタを逆スタガー型の薄膜電界効果トランジスタとし、該電荷保持用蓄積容量30を液晶ディスプレイの画素電極7と下部透明電極3の間にゲート絶縁膜4を介在させたサンドイッチ構造で画素電極7の全体にわたって構成し、該逆スタガー型薄膜電界効果トランジスタ25のゲート電極2を該蓄積容量30の下部透明電極3と同時に形成した透明導電膜とした液晶パネル用アクティブマトリクスパネル。
請求項（抜粋）：
ゲート電極がゲート信号線にソース電極またはドレイン電極がデータ信号線に接続されるとともにマトリクス状に配列された複数のトランジスタと、該トランジスタのドレイン電極またはソース電極に接続された電荷保持用蓄積容量とからなる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネルにおいて、該トランジスタは、逆スタガー型の薄膜電界効果トランジスタであり、該電荷保持用蓄積容量は、液晶ディスプレイの画素電極と下部透明電極の間にゲート絶縁膜を介在させて構成され、該逆スタガー型薄膜電界効果トランジスタのゲート電極は、該蓄積容量の下部透明電極と同時に形成された透明導電膜から構成されることを特徴とする液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネル。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
