特許

J-GLOBAL ID：200903057315437862

不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のベリファイ方法

発明者： 信方 浩美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338994
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163976
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 多値記憶の不揮発性半導体記憶装置において、不要なベリファイを削減し、トータルの書き込み時間の短縮を図るようにする。【解決手段】 上位分布データにおいて書き込みの最も速いセルが書き込み十分と判定される書き込み回数に達する前までは、上位分布データのベリファイを行なわず、下位分布データのベリファイのみを行なう。下位分布データにおいて書き込みの最も遅いセルが書き込み十分と判定される書き込み回数に達した後では、下位分布データのベリファイを行なわず、上位分布データのベリファイのみを行なう。このように、理論上、有効でないと考えられるベリファイを行なわないように制御することで、ベリファイ時間が短縮され、トータルの書き込み時間が短縮される。

請求項（抜粋）：

ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、多値データをメモリセルに書き込む不揮発性半導体装置において、ベリファイ時に、ワード線電圧をしきい値電圧の分布状態に応じて設定し、上記メモリセルのしきい値が上記ワード線に印加された電圧を越えているかどうかにより上記ラッチ回路を確定し、上記ベリファイ時にデータが十分に書き込まれると上記ラッチ回路に所定のデータが設定されるように制御するベリファイ制御手段を有し、上記ベリファイ制御手段は、ベリファイ動作時に、書き込み状態に応じて特定分布のベリファイをスキップするようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

Fターム (5件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AE05