特許

J-GLOBAL ID：200903057317664750

薄膜状半導体装置およびその作製方法

発明者： 竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174883
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343689
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流の少ない薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を提供する。【構成】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の活性層と基板との間に裏面ゲイト電極を設け、該裏面ゲイト電極を一定の電位に保持する、もしくは薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置のソースもしくはドレインのいずれか一方の電位と等しくして使用するように構成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

薄膜状の活性層を有する電界効果型装置において、活性層上にゲイト電極が設けられ、また、活性層と基板の間には静的な電位に接続された裏面ゲイト電極が設けられたことを特徴とする薄膜状半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-152574
  
• 特開昭61-220371
  
• 特開昭60-154660