特許

J-GLOBAL ID：200903057318850795

プラズマ処理装置

発明者： 大倉 英一郎 ,  豊田 正人 ,  中谷 康雄 ,  勝田 浩誠
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064390
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ反応ガスからの荷電粒子や紫外線による被処理材のダメージを低減させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成室(1)と、電磁エネルギ供給手段(5)と、反応室(2)と、反応室(2)内において被処理材(4)を支持するためのステージ(3)と、プラズマ生成室(1)と反応室(2)をそれらの軸が互いに変位させられた状態で接続するための接続チャンバ(7)を備え、その接続チャンバは接地電位に接続されている。

請求項（抜粋）：

反応ガスをプラズマ化させるプラズマ生成室と、プラズマを生成させる電磁エネルギを与えるためのエネルギ供給手段と、被処理材を反応処理するための反応室と、前記反応室において前記被処理材を支持するためのステージと、前記プラズマ生成室と前記反応室とをそれらの軸が互いに変位させられた状態で接続するための接続チャンバとを備え、前記接続チャンバは接地電位に接続されるべき導電材を含んでいることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H