特許
J-GLOBAL ID：200903057318997338
乾式薄膜加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234903
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】ECR方式の乾式薄膜加工装置では、膜の深さ方向の膜質の均一性および膜質自体の向上のために基板温度を成膜中高温の一定値に保つのに複雑な温度制御機構を必要とする。この問題を解決する。【構成】装置内に導入するプラズマ生成用ガス,薄膜の組成元素を有し薄膜形成時にプラズマ生成用ガスのプラズマにより活性化される反応ガスそれぞれのガス導入系4,12のうち、薄膜形成,食刻処理両用の装置では少なくともプラズマ生成用ガス用ガス導入系4に、また、薄膜形成を主目的とする装置では両ガス導入系4,12の少なくともいずれか一方にガス加熱手段を設け、加熱したガスを装置内に導入するようにする。
請求項（抜粋）：
装置本体内に磁場とマイクロ波との共鳴効果を利用してガスをプラズマ化するプラズマ生成室と、プラズマ化されたガスを用いて薄膜形成もしくは食刻処理等の表面処理がなされる基板が載置,保持される基板台とを備えるとともに、装置本体内へプラズマ生成用ガスを導入するための第1ガス導入系と、プラズマ化されたガスにより活性化される反応ガスを導入するための第2ガス導入系とを備えた乾式薄膜加工装置において、少なくとも第1ガス導入系が、ガスを昇温して装置本体内へ導入するためのガス加熱手段を備えていることを特徴とする乾式薄膜加工装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 14/40
, C30B 25/14
, H01L 21/302
, H01L 21/31
