特許

J-GLOBAL ID：200903057322016317

半導体装置製造装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195348
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【課題】 複数の被膜の積層形成のために共通室に対し複数配置されたプラズマ反応炉を有する半導体装置製造装置を提供する。【解決手段】 複数の被膜の積層形成のために共通室に対し、複数のプラズマ反応炉を有する被膜積層方法において、前記共通室内より基板を前記複数の反応室に搬入して前記基板上に複数の被膜を積層形成する求めに応じて搬入、被膜形成、搬出を行う機構を有する。

請求項（抜粋）：

減圧可能な共通室と、複数の異なった種類の被膜の積層形成に対応して該共通室に対し各々ゲート弁手段を介して気密連結された複数の被膜形成反応炉と、前記複数の反応炉のそれぞれに対し前記共通室内より基板を前記ゲート弁手段を開として搬入搬出する手段と、前記複数の反応炉のそれぞれにて前記ゲート弁手段を閉として被膜を形成する手段を有する被膜製造装置において、前記共通室内より基板を前記複数の反応室に搬入して前記基板上に複数の被膜を積層形成する求めに応じて搬入、被膜形成、搬出を行う機構を有することを特徴とする半導体装置製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/68 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-021553
  
• 特開昭55-141570
  
• 特開昭57-149748
  
• 特開昭57-087120