特許
J-GLOBAL ID:200903057328287134

アクティブマトリックス液晶表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志村 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-255683
公開番号(公開出願番号):特開平6-084946
出願日: 1992年08月31日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】 ブラックマトリックス層の位置合わせを正確に行うことにより、表示に寄与する開口部の面積を向上させることのできるアクティブマトリックス液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体素子用ガラス基板1上に、溝形成用絶縁層16を形成し、所定領域に溝を形成する。この溝の底部に、ブラックマトリックス層2を形成し、この上に、中間絶縁層17、ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、半導体チャネル層5、オーミック接触層6S,6Dを形成し、更に、表示電極7、ソース電極8、ドレイン電極9、パッシベーション膜10を形成する。ゲート絶縁膜4、表示電極7、パッシベーション膜10は、ブラックマトリックス層2をマスクとして用い、基板下面からのバック露光によるパターニングで形成されるため、これら各層は相互に自己整合性をもつようになり、表示電極7の開口部の面積を広くとることができる。
請求項(抜粋):
平面上に複数の画素を定義した透光性の第1および第2の基板を対向して配置し、両基板間に液晶を充填し、前記第1の基板上に、各画素領域ごとに所定の色のフィルタを配置したカラーフィルタ層と、液晶の光学的特性を制御する電圧を印加するための一方の電極となる透明な共通電極と、を形成し、前記第2の基板上に、液晶の光学的特性を制御する電圧を印加するための他方の電極となる表示電極を各画素領域ごとに形成し、この各表示電極に与える電圧を制御するためのトランジスタ素子を各画素領域ごとに形成し、充填した液晶の光学的特性を各画素ごとに制御できるようにしたアクティブマトリックス液晶表示装置において、前記第2の基板上に、所定位置に溝が掘られた透明な絶縁層を形成し、この溝の底部に、表示の際に各画素の境界領域を鮮明にするための遮光性のブラックマトリックス層を形成し、このブラックマトリックス層の上にトランジスタ素子を形成したことを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。
IPC (3件):
H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500
FI (2件):
H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A

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