特許

J-GLOBAL ID：200903057330604031

SOI基板およびその製造方法

発明者： 中井 哲弥 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283421
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 薄膜SOI/MOSFET作製用基板として用いることができるSOI基板およびその製造方法を提供する。【構成】 酸素イオン2を注入後、熱処理を施して、単結晶シリコン基板1内部に埋込二酸化ケイ素層3を形成し、シリコン基板1の表面に100nm以下の薄い単結晶シリコン層5を形成し、この単結晶シリコン層5中にキャビティ8を形成し、埋込二酸化ケイ素3層下にゲッタリング層12を形成する。このキャビティ8は格子間シリコンのシンクとなる。埋込二酸化ケイ素層3が単結晶シリコン層5とゲッタリング層12との間に形成されているので、ゲッタリング層12の欠陥が単結晶シリコン層5には及ばない。このゲッタリング層12の欠陥は、単結晶シリコン層5中の不純物汚染をゲッタリングする。この結果、単結晶シリコン層5の結晶性が向上し、かつ、その不純物汚染が低減できるものである。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン層を有するSOI基板において、上記単結晶シリコン層の厚さが100nm以下であり、その膜厚均一性が±5nm以下であり、その欠陥密度が103/cm2以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12